变压器区外故障CT饱和对主变保护的影响分析

邓茂军<sup>1</sup>; 许云龙<sup>1</sup>; 张童<sup>2</sup>; 姚晴林<sup>3</sup>; 马和科<sup>1</sup>; 姚东晓<sup>1</sup>

引用本文:	邓茂军,许云龙,张童,等.变压器区外故障CT饱和对主变保护的影响分析[J].电力系统保护与控制,2012,40(4):129-133.
	,et al.[J].Power System Protection and Control,2012,40(4):129-133

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变压器区外故障CT饱和对主变保护的影响分析
邓茂军¹, 许云龙, 张童², 姚晴林³, 马和科, 姚东晓
1. 许继电气公司技术中心，河南许昌 461000;2. 许继电气股份有限公司，河南许昌 461000;3.合肥工业大学，安徽合肥 230009

摘要:

近年来，现场出现了多起主变差流速断保护误动的事件。主变差流速断保护作为差动保护的一个辅助保护，要求在变压器内部发生严重故障时能快速动作切除故障，因此保护通常不增设任何闭锁条件，只要差流大于保护定值就会动作跳闸。通过对现场的几起事故进行分析，区外故障时CT饱和是造成主变差流速断保护误动的直接原因。在分析了P级电流互感器容易饱和的原因后，根据不同的故障类型对差流速断保护动作判据进行了改进，这种改进方案在微机保护中非常容易实现。试验结果表明，改进方案能明显提高区外故障时差流速断保护的抗CT饱和能力，也不会降低区内故障灵敏度。

关键词: 主变差流速断保护 CT饱和灵敏度

DOI：10.7667/j.issn.1674-3415.2012.04.023

分类号:

基金项目:

,et al

Abstract:

Key words:

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